以InGaAsn型场效应晶体管(nFET)器件的3D单片集成为例，首市合在SiGe-OI(绝缘体上)短通道p型FET(pFET)上生长和制备，首市合以实现在供电电压VDD =0.25V下工作的最先进的CMOS逆变器。

该集成系统可以实时采集大量气体(数据)，个智直接将数据存储在RRAM中，并在计算层对气体进行现场分类。[9]因此，慧城户山后续的外延必须经过化学和机械抛光。

作创这限制了这种电子/光子材料在主要商业市场上的广泛应用。它还将允许一体式芯片平台被创造出来，新中心落西使光子电路与最先进的传感器、晶体管和由神经形态芯片积极处理的记忆元件相结合。它允许衬底被重复使用，首市合这大大降低了设备的制造成本。

[4]图2. 传统的外延技术3.新兴的外延生长方法虽然上述传统的外延方法可以大大降低位错密度，个智但是异质外延层的材料质量仍然不如同质外延层，个智特别是在高度网格不匹配的系统中。除了光电子器件的应用外，慧城户山外延生长和lift-off还有潜力被利用来实现非冯诺依曼计算系统在单个芯片上的非冯诺依曼计算系统，慧城户山其方法是将所需的组件混合集成。

图4.外延lift-off技术[13-16]5.先进外延技术和liftoff技术的应用IBM公司的TASE方法是一种先进的选择性生长技术，作创使用的是亚100nm的氧化物掩膜，作创该方法已被用于演示多种III-V器件在CMOS上的无缺陷集成。

[22]图7. 先进的外延lift-off和转移技术的异质集成器件6.展望在垂直堆叠多功能集成电路的晶圆片上生长器件品质的外延层，新中心落西将会大幅减少集成电路的足迹。1995年出生于江苏徐州沛县，首市合1999年开始练习蹦床，2003年进入江苏省少体校，2006年入选省专业队，2015年入选国家队。

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